产品概述
硅辐射照度传感器
光伏参考电池
硅辐射传感器用于测量太阳辐射
采用IMT Technology坚固耐用的硅太阳能辐照度传感器（Si传感器），以实惠价格精准测量光伏系统的辐照强度。传感器元件设计与光伏组件高度相似，这意味着其光谱响应（SR）和入射角修正系数（IAM）具有极高可比性。因此，这些传感器堪称光伏系统监测的理想基准设备。
优势与特点
- 光伏监测用基准太阳能电池
- 校准测量不确定度：1.2%（符合IEC 61724-1的A级标准）
- 经IEC 61215测试验证的户外适用性
- 因光学特性与光伏组件高度一致，极少产生失配误差
- 支持双面光伏监测的背面辐照度测量
- 依据IEC 60904-3标准（AM1.5光谱）进行校准
- 卓越线性度远超IEC 60904-10要求
- 采用符合IEC 60751 A级标准的Pt1000铂电阻测量电池温度
- 德国研发制造
功能与构造
工作原理
硅太阳能电池可作为辐照度传感器使用，因为其短路电流与辐照度成正比。本系列传感器采用高品质单晶硅太阳能电池与分流器组合而成。因分流器电阻极低，电池始终处于近短路状态工作。为最大限度消除温度对测量信号的影响，所有带“TC”后缀的传感器均通过贴附于电池背面的温度传感器实现主动温度补偿。
光谱校准符合IEC 60904-3标准（AM1.5模式）卓越线性度远超IEC 60904-10要求采用符合IEC 60751 A级标准的Pt1000铂电阻测量电池温度德国研发制造所有传感器均在人造光源下，参照德国国家计量研究院（PTB）校准的基准电池进行校准。
结构
太阳能电池嵌入乙烯醋酸乙烯酯（EVA）层中，位于玻璃与特氟龙薄膜之间。层压电池集成于粉末涂层铝制外壳内。因此该传感器的结构与标准光伏组件相似
技术参数
传感器类型
数字参考单元（RS485 / MODBUS）
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传感器类型 |
测量参数 |
备注 |
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辐照度 0 至 1500 W/m²，温度 -40 至 +90 °C |
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Si-RS485TC-T-MB
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1. 太阳辐射强度 2. 电池温度 |
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Si-RS485TC-2T-MB
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1. 太阳辐射强度 2. 电池温度 3. 环境温度 |
牢固连接的环境温度传感器（3米连接线）可选配Shield-Tamb-Si作为防风雨和防辐射保护装置 |
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Si-RS485TC-T-Tm-MB
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1. 太阳辐射强度 2. 电池温度 3. 光伏组件温度 |
固定式模块温度传感器（配3米连接线） |
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Si-RS485TC-2T-v-MB
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1. 太阳辐射强度 2. 电池温度 3. 温度（光伏组件温度或环境温度） 4. 风速 |
两个防水连接器，分别用于一个温度传感器和一个风速传感器（需单独订购） • 带预配置插头的外部传感器 • 可选配Shield-Tamb-Si作为防风雨和辐射保护装置 |
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Si-RS485TC-3T-MB
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1. 太阳辐射强度 2. 电池温度 3. 温度1（光伏组件或环境温度） 4. 温度2（光伏组件或环境温度） |
两个防水连接器，用于两个温度传感器（例如Tmodul-Si和Tamb-Si）需单独订购 • 带预配置插头的外部传感器 • 可选配Shield-Tamb-Si作为防风雨和辐射保护装置 |
模拟参考单元
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传感器类型 |
输出信号 |
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辐照度 0 至 1500 W/m² |
电池温度 -40 至 +90 °C |
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Si-I-420TC |
4 至 20 mA |
— |
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Si-I-420TC-T |
4 至 20 mA |
4 至 20 mA |
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Si-V-10TC |
0 至 10 V |
— |
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Si-V-10TC-T |
0 至 10 V |
0 至 10 V |
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Si-V-1.5TC |
0 至 1.5 V |
— |
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Si-V-1.5TC-T |
0 至 1.5 V |
0 至 2 V |
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Si-mV-85 |
0 至约. 85 mV |
—（可选 Pt100 / Pt1000） |
技术参数
所有参考单元格
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光伏电池 |
单晶硅；50毫米×33毫米 |
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外壳 |
粉末涂层铝制，155毫米×85毫米×39毫米，350至470克 |
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连接线缆
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长度：3米，聚氨酯护套，屏蔽设计，抗紫外线及耐候性，LiYC11Y规格，4×0.14 mm² |
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电压供应 |
典型值 24 VDC |
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工作温度 |
-35至+80 °C |
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防护等级 |
IP 67 |
测量不确定度
辐照度
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参数 |
传感器类型 |
不确定度² |
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响应时间（99%）适用于G > 50 W/m² |
所有带RS485接口的型号 |
1 秒 |
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Si-V-1.5TC(-T), Si-V-10TC(-T), Si-I-420TC(-T) |
0.15 秒 |
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Si-mV-85(-Pt100/-Pt1000) |
0.001秒 |
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偏移量 |
所有带RS485接口的型号 |
0.3 W/m2 |
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Si-I-420TC(-T) |
1.4 W/m2 |
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Si-V-1.5TC(-T), Si-V-10TC(-T) |
3.7 W/m2 |
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Si-mV-85(-Pt100/-Pt1000) |
0 W/m2 |
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年稳定性1 |
所有类型 |
0.30 % |
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非线性类型 |
所有类型（100至1000 W/m²） |
0.20% |
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温度误差1，适用于-35至+80 °C |
所有类型带RS485接口 |
0.40 % |
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Si-V-1.5TC(-T), Si-V-10TC(-T), Si-I-420TC(-T) |
0.40 % |
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Si-mV-85-Pt100(0) 带外部温度补偿 |
0.20 % |
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Si-mV-85(-Pt100(0)) 无外部温度补偿 |
3.00 % |
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内部校准 |
所有类型（相对于主要参考的重复性） |
0.5 % |
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所有类型（标准温度条件下主参照的不确定度） |
0.5 % |
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传感器类型 |
测量不确定度（单位：W/m²）± 数值的百分比² |
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辐照度100至1500 W/m² |
辐照度0至1500 W/m² |
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所有带RS485接口的型号 |
±0.4 ± 1.6 % |
±0.4 ± 1.6 % |
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Si-I-420TC-T |
±1.0 ± 1.6% |
±1.5 ± 1.6 % |
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Si-V-1.5TC(-T), Si-V-10TC(-T) |
±3.0 ± 1.6 % |
±4.0 ± 1.6 % |
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Si-mV-85-Pt100(0)-(4L)3 |
±0.3 ± 1.6 % |
±0.3 ± 1.6 % |
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Si-mV-85 |
±0.3 ± 4.6 % |
±0.3 ± 4.6 % |
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校准测量不确定度：1.2%，符合IEC 61724-1标准A级要求 |
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温度
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传感器类型 |
状态 |
测量不确定度 |
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所有带RS485接口的型号 |
-35至+80 °C |
1.0 K |
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Si-I-420TC-T |
-35至+60 °C / -35至+80 °C |
1.0 K / 1.3 K |
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Si-V-1.5TC-T, Si-V-10TC-T |
-35至+70 °C / -35至+80 °C |
1.0 K / 1.1 K |
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Si-mV-85-Pt100(0)-(4L) |
-35 至 +80 °C |
0.35 K |
选项
DaKKS校准，符合DIN EN ISO/IEC 17025标准
定制电缆长度
带防水插头插座连接的版本
Si-V-1.5TC亦提供电池供电版本
电池供电版本专用预制万用表电缆
定制量程或测量范围
带MT协议（ASCII）的RS485版本
配件
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环境温度传感器 |
Tamb-Si |
环境温度传感器，配3米电缆及插头连接器（IP67防护等级）适用于Si-RS485TC-2T-v-MB / Si-RS485TC-3T-MB |
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光伏组件温度 |
Tmodul-Si |
带3米电缆和插头连接器的光伏组件温度传感器（IP67防护等级）适用于Si-RS485TC-2T-v-MB / Si-RS485TC-3T-MB |
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风速 |
Vwind-Si |
带5米电缆和插头连接器的风速传感器（IP67防护等级）适用于Si-RS485TC-2T-v-MB |
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防护板 |
Shield-Tamb-Si |
环境温度传感器用防尘防辐射罩（适用于Tamb-Si及Si-RS485TC-2T-MB型号） |
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接线盒套装 |
JB-01 |
带电缆接头和弹簧接头的接线盒 |
供货范围
所有类型
使用说明书
校准证书
1 百分比值指测量值
2 依据《测量不确定度表示指南》(GUM) 设定k=2，适用于AM 1.5调幅、垂直光束及完整工作温度范围
3 外部温度补偿需在数据采集端计算（AM 1.5调幅下的温度系数：0.0005 1/K）
4 在标准测试条件下，STC
